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河北大学李志强博士、国际公司国际博士生梁晓杨、硕士生李刚为该文共同第一作者，河北大学李志强博士和暨南大学麦耀华教授为共同通讯作者。研究人员提出了一种劈裂生长模型，开拓很好的解释了Sb2Se3沉积过程中由薄膜劈裂生长成为纳米棒阵列的演变过程。
同时，境外和Sb2Se3薄膜相比，纳米棒阵列结构具有更低的表面反射率，可以增加入射阳光的利用率。 此外，电力电量研究发现，电力电量在化学水浴法沉积硫化镉缓冲层过程中，碱性的溶液会溶解Sb2Se3，导致锑扩散进硫化镉层中并在Sb2Se3与硫化镉（CdS）界面处引入缺陷，不利于制备高质量的Sb2Se3/ CdS异质结。【前言】硒化锑和硫化锑等无机V2-VI3族化合物半导体材料展现了巨大的光伏应用潜力，市场其中，市场硒化锑（Sb2Se3）具有1）单一物相结构，2）合适的光学带隙（1.1-1.3eV），3）高吸光系数，4）低毒性，5）高元素丰度等优良特性，被证明是一种优异的吸光层材料。
【图文简介】图1Sb2Se3纳米棒阵列的结构表征：贸易a 表面形貌图，贸易b截面形貌图，c XRD图，d截面TEM图，e表面HRTEM图，f SAED图图2 Sb2Se3由薄膜向纳米棒阵列的演变：不同沉积时间的Sb2Se3表面形貌图，a60s,b120s,c160s,d180s 及截面形貌图e60s,f120s,g160s,h180s图3 CdS/Sb2Se3异质结界面特性：a 表面形貌图，b截面形貌图，c d截面TEM图，eHAADF-STEM及EDS图图4 Sb2Se3纳米棒阵列太阳电池的结构及电学特性：a纳米棒阵列及器件的原理图，b截面形貌图，c 表面形貌图，d最优器件J-V曲线，eEQE光谱，f 100个太阳电池的效率分布直方图，g 沉积及没有沉积氧化钛的器件的VOC衰减曲线该工作得到了国家自然科学基金（61804040）、人社部留学回国人员科技活动择优资助项目（CG2015003004）、河北省自然科学基金（E2016201028）以及河北大学高层次人才引进启动经费（801260201001）等项目的支持。累计相关研究成果发表在《自然-通讯》（NatureCommunications）上。
研究表明，突破Sb2Se3晶体由带状的(Sb4Se6)n构成，突破(Sb4Se6)n内部由Sb-Se共价键结合，带间通过较弱的范德瓦耳斯力相结合，在(Sb4Se6)n内部，载流子具有很高的迁移率。
【成果简介】该研究中，千瓦研究人员应用近空间升华技术（CloseSpacedSublimation），千瓦在镀钼（Mo）的玻璃衬底上制备出具有一维纳米棒阵列结构的Sb2Se3吸收层材料，Sb2Se3纳米棒具有[001]方向的择优取向。经过医生的检查，云南0亿发现狗肚子里的小泰迪是怀孕了，而且已经有七个月了。
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